IXXH30N65B4, IGBTs 650V/65A Trench IGBT GenX4 XPT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 700 ֏

от 30 шт. — 4 050 ֏

от 120 шт. — 3 770 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 700 ֏

Номенклатурный номер: 8006252070

Unclassified

Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 30А, 230Вт, TO247-3 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	230 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.66 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	65 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	30 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	30
Серия	IXXH30N65
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247AD-3
Вес, г	4.5