IXTP70N075T2, MOSFETs 70 Amps 75V 0.0120 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 470 ֏
от 10 шт. —
2 940 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 470 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 75В, 70А, 150Вт, TO220-3, 48нс Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 70 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 75 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 28 ns |
| Время спада | 22 ns |
| Высота | 9.15 mm |
| Длина | 10.66 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IXTP70N075 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.83 mm |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Datasheet IXTP70N075T2
pdf, 172 КБ
