SSM6J212FE,LF, MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17058 шт., срок 5-8 недель

580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8006252699

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Qg - заряд затвора	14.1 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	94 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.55 mm
Длина	1.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	U-MOSVI
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	SSM6J212
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	ES6-6
Ширина	1.2 mm
Вес, г	0.036