IXTH1N170DHV, MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-STD
![IXTH1N170DHV, MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-STD](https://static.chipdip.ru/lib/926/DOC006926088.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 100 ֏
от 10 шт. —
20 500 ֏
от 30 шт. —
17 600 ֏
от 60 шт. —
15 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 23 100 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
Pd - рассеивание мощности | 290 W |
Qg - заряд затвора | 47 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 16 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1.7 kV |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 38 ns |
Время спада | 216 ns |
Канальный режим | Depletion |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 130 ns |
Типичное время задержки при включении | 46 ns |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet IXTH1N170DHV
pdf, 246 КБ