IXTH1N170DHV, MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-STD

IXTH1N170DHV, MOSFETs MSFT N-CH DEPL MODE-STD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
23 100 ֏
от 10 шт.20 500 ֏
от 30 шт.17 600 ֏
от 60 шт.15 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 23 100 ֏
Номенклатурный номер: 8006254170
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
МОП-транзистор MSFT N-CH DEPL MODE-STD

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 1 A
Pd - рассеивание мощности 290 W
Qg - заряд затвора 47 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 16 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1.7 kV
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 38 ns
Время спада 216 ns
Канальный режим Depletion
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 130 ns
Типичное время задержки при включении 46 ns
Торговая марка IXYS
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IXTH1N170DHV
pdf, 246 КБ