SSM6L35FU(TE85L,F), MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2670 шт., срок 5-8 недель

540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 ֏

Номенклатурный номер: 8006255102

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1

Id - непрерывный ток утечки	180 mA, 100 mA
Pd - рассеивание мощности	200 mW
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	11 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	20 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.9 mm
Длина	2 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	2 Channel
Коммерческое обозначение	MOSVI
Конфигурация	Dual
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel, P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6L35
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel, 1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	300 ns, 251 ns
Типичное время задержки при включении	115 ns, 175 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-363-6
Ширина	1.25 mm
Вес, г	0.0075