SI2304BDS-T1-E3, MOSFETs 30V 3.2A 0.07Ohm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
630 ֏
от 10 шт. —
489 ֏
от 100 шт. —
258 ֏
от 500 шт. —
225 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 630 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 30V 3.2A 0.07Ohm
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 750 mW |
| Qg - заряд затвора | 2.6 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 12.5 ns |
| Время спада | 15 ns |
| Высота | 1.45 mm |
| Длина | 2.9 mm |
| Другие названия товара № | SI2304BDS-E3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 19 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7.5 ns |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Ширина | 1.6 mm |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.6 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 3.2 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 70@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 6 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 0.5 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 166 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1080 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 1.08 |
| Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A) | 10 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 0.6 |
| Minimum Gate Threshold Voltage (V) | 1.5 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.8 |
| Typical Fall Time (ns) | 15 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 4.6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.6@5V|4.6@10V |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 3.7 |
| Typical Gate to Drain Charge (nC) | 1.15 |
| Typical Gate to Source Charge (nC) | 0.8 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 225@15V |
| Typical Output Capacitance (pF) | 50 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 28@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 12.5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 19 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 7.5 |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 155 КБ
Datasheet SI2304BDS-T1-E3
pdf, 189 КБ
