SI4435DDY-T1-E3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8
![Фото 1/2 SI4435DDY-T1-E3, MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163151.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/750/DOC043750273.jpg)
890 ֏
от 10 шт. —
760 ֏
от 100 шт. —
485 ֏
от 500 шт. —
397 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -8,1А, 2,5Вт, SO8
Технические параметры
Brand: | Vishay Semiconductors |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Id - Continuous Drain Current: | 11.4 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Part # Aliases: | SI4435DDY-E3 |
Pd - Power Dissipation: | 5 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 32 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 24 mOhms |
Series: | SI4 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | TrenchFET |
Transistor Polarity: | P-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 0.19 |