IXTP3N50D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 3A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 800 ֏

от 10 шт. — 4 450 ֏

от 50 шт. — 4 050 ֏

от 100 шт. — 3 250 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 800 ֏

Номенклатурный номер: 8006256056

Unclassified

МОП-транзистор N-CH МОП-транзисторS (D2) 500V 3A

Id - непрерывный ток утечки	3 A
Pd - рассеивание мощности	125 W
Qg - заряд затвора	40 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	1.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	71 ns
Время спада	42 ns
Высота	16 mm
Длина	10.66 mm
Канальный режим	Depletion
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.3 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	50
Серия	IXTP3N50
Технология	Si
Тип	Depletion Mode MOSFET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	56 ns
Типичное время задержки при включении	27 ns
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Ширина	4.83 mm
Вес, г	2.3

Мы рекомендуем