IXTP3N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A

Фото 1/2 IXTP3N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 800 ֏
от 10 шт.4 580 ֏
от 50 шт.4 070 ֏
от 100 шт.3 260 ֏
1 шт. на сумму 5 800 ֏
Номенклатурный номер: 8006256495
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO220-3, 17нс Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 3 A
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 6 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 1 kV
Вид монтажа Through Hole
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 50
Серия IXTP3N100
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Торговая марка IXYS
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.3

Техническая документация

Datasheet IXTP3N100D2
pdf, 152 КБ