IXTP3N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
![Фото 1/2 IXTP3N100D2, MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/737/DOC043737173.jpg)
5 800 ֏
от 10 шт. —
4 580 ֏
от 50 шт. —
4 070 ֏
от 100 шт. —
3 260 ֏
1 шт.
на сумму 5 800 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 1кВ, 3А, 125Вт, TO220-3, 17нс Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 6 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IXTP3N100 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet IXTP3N100D2
pdf, 152 КБ