IRLR014TRPBF, MOSFETs RECOMMENDED ALT IRLR014TR
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 200 ֏
от 10 шт. —
940 ֏
от 100 шт. —
710 ֏
от 500 шт. —
550 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор RECOMMENDED ALT 844-IRLR014TR
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 7.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.38 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.2Ом |
| Power Dissipation | 2.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 7.7А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 2.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.7 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 280 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
| Width | 6.22mm |
| Вес, г | 1.438 |
