IXFH18N90P, MOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
14 200 ֏
от 10 шт. —
12 000 ֏
от 30 шт. —
10 800 ֏
от 60 шт. —
10 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 14 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 900В, 18А, 540Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| California Prop 65 | Warning Information |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 97nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5230pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power Dissipation (Max) | 540W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600mOhm @ 500mA, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў -> |
| Supplier Device Package | TO-247AD (IXFH) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet IXFH18N90P
pdf, 199 КБ
