IXFH14N80P, MOSFETs DIODE Id14 BVdass800
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 200 ֏
от 10 шт. —
7 600 ֏
от 30 шт. —
6 900 ֏
от 120 шт. —
5 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 200 ֏
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 14А, 400Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 14 A |
| Pd - рассеивание мощности | 400 W |
| Qg - заряд затвора | 61 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 720 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 29 ns |
| Время спада | 27 ns |
| Высота | 21.46 mm |
| Длина | 16.26 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | PolarHV, HiPerFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 30 |
| Серия | IXFH14N80 |
| Технология | Si |
| Тип | PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 62 ns |
| Типичное время задержки при включении | 26 ns |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-247-3 |
| Ширина | 5.3 mm |
| Вес, г | 6.5 |
Техническая документация
Datasheet IXFH14N80P
pdf, 225 КБ
