SI2300DS-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 12V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
427 ֏
от 100 шт. —
285 ֏
от 500 шт. —
211 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
The Vishay surface mount N-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 68mohm at a gate-source voltage of 4.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.068 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 235 КБ
Datasheet Si2300DS
pdf, 119 КБ
