SI4864DY-T1-GE3, MOSFETs 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V

SI4864DY-T1-GE3, MOSFETs 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5 200 ֏
от 10 шт.4 050 ֏
от 25 шт.3 770 ֏
от 100 шт.2 950 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 5 200 ֏
Номенклатурный номер: 8006258527

Описание

Unclassified
МОП-транзистор 20V 25A 3.5W 3.5mohm @ 4.5V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 25 A
Pd - рассеивание мощности 3.5 W
Qg - заряд затвора 70 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 3.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.75 mm
Длина 4.9 mm
Другие названия товара № SI4864DY-GE3
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение TrenchFET
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2500
Серия SI4
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Vishay / Siliconix
Упаковка / блок SO-8
Ширина 3.9 mm
Вес, г 0.5066

Техническая документация

Datasheet SI4864DY-T1-GE3
pdf, 156 КБ