Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › AC847BWQ-7, Bipolar Transistors - BJT General ...

AC847BWQ-7, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

282 ֏

от 10 шт. — 190 ֏

от 100 шт. — 75 ֏

от 1000 шт. — 50 ֏

1 шт. на сумму 282 ֏

Номенклатурный номер: 8006263380

Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	450
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-323-3
Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	100мА
DC Current Gain hFE Min	200hFE
DC Усиление Тока hFE	200hFE
Power Dissipation	200мВт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	-
Монтаж транзистора	Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-323
Частота Перехода ft	300МГц
Вес, г	0.006