SSM6N67NU,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

118166 шт., срок 7-9 недель

620 ֏

1 шт. на сумму 620 ֏

Номенклатурный номер: 8006264965

Бренд: Toshiba

Unclassified

МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=4A VDSS=30V

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	3.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	39.1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, - 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	6 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N67NU
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	17 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	UDFN-6
Вес, г	0.0085