SSM6N35AFE,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=.25A VDSS=20V
166126 шт., срок 6-9 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20 В 250 мА (Ta) 250 мВт для поверхностного монтажа ES6
Технические параметры
| Base Product Number | CLS01 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 250mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.34nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power - Max | 250mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1Ohm @ 150mA, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 100ВµA |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SSM6N35AFE,LF
pdf, 225 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
