FCX718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation
![Фото 1/4 FCX718TA, Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/549/DOC021549315.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/980/DOC022980444.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
840 ֏
от 10 шт. —
710 ֏
от 100 шт. —
449 ֏
от 500 шт. —
339 ֏
1 шт.
на сумму 840 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP Low Saturation
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.5 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA, 2 V, 300 at 100 mA, 2 V, 150 at 2 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 20 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 20 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 145 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 180 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | FCX718 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.5 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 20В |
Continuous Collector Current | 2.5А |
DC Current Gain hFE Min | 35hFE |
DC Усиление Тока hFE | 35hFE |
Power Dissipation | 2Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-89 |
Частота Перехода ft | 180МГц |
Maximum Collector Base Voltage | -20 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -20 V |
Maximum DC Collector Current | -2.5 A |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Frequency | 180 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum DC Current Gain | 300 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Вес, г | 0.052 |