SSM6K516NU,LF, MOSFET MOS TRANSISTOR
5321 шт., срок 6-9 недель
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
N-канал 30V 6A (Ta) 1,25W (Ta) Поверхностный монтаж 6-UDFNB (2x2)
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 4A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB (2x2) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +20V, -12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100ВµA |
| Вес, г | 1 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
