SI2347DS-T1-GE3, 30V 5A 1.7W 42m ё@10V,3.8A 2.5V@250uA P Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
192 ֏
Кратность заказа 5 шт.
от 50 шт. —
156 ֏
от 150 шт. —
138 ֏
от 500 шт. —
117 ֏
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 960 ֏
Описание
The Vishay surface mount P-channel MOSFET is a new age product with a drain-source resistance of 42mohm at a gate-source voltage of 10V.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.042 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-236 |
| Pin Count | 3 |
| Series | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SI2347DS-T1-GE3
pdf, 223 КБ
