IRF9540STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
![Фото 1/4 IRF9540STRLPBF, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/747/DOC004747583.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/071/DOC006071625.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/170/DOC004170911.jpg)
1 410 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 8 шт. —
1 190 ֏
от 16 шт. —
1 110 ֏
от 32 шт. —
1 070 ֏
2 шт.
на сумму 2 820 ֏
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 100В 19A
Технические параметры
Корпус | D2Pak(TO-263) | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
ECCN (US) | EAR99 | |
Part Status | Active | |
HTS | 8541.10.00.80 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Configuration | Single | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@10V | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 61(Max)@10V | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 61(Max) | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1400@25V | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 150000 | |
Typical Fall Time (ns) | 57 | |
Typical Rise Time (ns) | 73 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 34 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Automotive | No | |
Standard Package Name | TO-263 | |
Pin Count | 3 | |
Supplier Package | D2PAK | |
Military | No | |
Mounting | Surface Mount | |
Package Height | 4.83(Max) | |
Package Length | 10.41(Max) | |
Package Width | 9.65(Max) | |
PCB changed | 2 | |
Tab | Tab | |
Вес, г | 2.29 |
Техническая документация
Datasheet IRF9540STRLPBF
pdf, 207 КБ