MMBT3906-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 300mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
141 ֏
от 10 шт. —
97 ֏
от 100 шт. —
49 ֏
от 1000 шт. —
32 ֏
1 шт.
на сумму 141 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 40В, 0,2А, 300мВт, SOT23 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | PNP |
Технические параметры
Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
Maximum DC Collector Current | 200 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum DC Current Gain | 100 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | PNP |
Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
Вид | PNP |
Тип | биполярный |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
Datasheet
pdf, 242 КБ
Datasheet MMBT3906-7-F
pdf, 74 КБ
MMBT3906
pdf, 247 КБ
Документация
pdf, 256 КБ