SI2312CDS-T1-GE3, MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
540 ֏
от 10 шт. —
489 ֏
от 100 шт. —
303 ֏
от 500 шт. —
222 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 540 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Drain current | 5.1A |
| Drain-source voltage | 20V |
| Gate charge | 8.8nC |
| Gate-source voltage | ±8V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | VISHAY |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 41.4mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 1.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 251 КБ
