DMMT5401-7-F, Bipolar Transistors - BJT MATCHED PNP SM SIGNAL TRANS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
423 ֏
от 10 шт. —
304 ֏
от 100 шт. —
141 ֏
от 1000 шт. —
106 ֏
1 шт.
на сумму 423 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор PNP x2, биполярный, 150В, 200мА, 300мВт, SOT26 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | PNP |
Технические параметры
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 150V |
| Maximum DC Collector Current | 200mA |
| Pd - Power Dissipation | 300mW |
| Transistor Type | 2 PNPпј€Doubleпј‰Pairing |
| Maximum Collector Base Voltage | -160 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 150 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 60 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-26 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 1 |
