LS4150GS08
![Фото 1/2 LS4150GS08](https://static.chipdip.ru/lib/245/DOC005245934.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/009/DOC021009643.jpg)
252 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт. —
183 ֏
от 100 шт. —
92 ֏
от 500 шт. —
70 ֏
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 756 ֏
Описание
Features • Superectifier structure for high reliability condition • Cavity-free glass-passivated junction
Технические параметры
Average Forward Current | 300мА |
Forward Surge Current | 4А |
Forward Voltage Max | 1В |
Repetitive Peak Reverse Voltage | 50В |
Reverse Recovery Time | 4нс |
Квалификация | AEC-Q101 |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Диода | MiniMELF |
Diode Configuration | Single |
Diode Technology | Silicon Junction |
Diode Type | Fast Switching Diode |
Maximum Continuous Forward Current | 600mA |
Maximum Forward Voltage Drop | 1V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | Quadro Melf |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 4A |
Peak Reverse Recovery Time | 4ns |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 50V |
Pin Count | 2 |
Rectifier Type | Small Signal |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 99 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 90 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ