LS4150GS08

Фото 1/2 LS4150GS08
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
252 ֏
Мин. кол-во для заказа 3 шт.
от 10 шт.183 ֏
от 100 шт.92 ֏
от 500 шт.70 ֏
Добавить в корзину 3 шт. на сумму 756 ֏
Номенклатурный номер: 8006320599

Описание

Features • Superectifier structure for high reliability condition • Cavity-free glass-passivated junction

Технические параметры

Average Forward Current 300мА
Forward Surge Current
Forward Voltage Max
Repetitive Peak Reverse Voltage 50В
Reverse Recovery Time 4нс
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Диода MiniMELF
Diode Configuration Single
Diode Technology Silicon Junction
Diode Type Fast Switching Diode
Maximum Continuous Forward Current 600mA
Maximum Forward Voltage Drop 1V
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type Quadro Melf
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current 4A
Peak Reverse Recovery Time 4ns
Peak Reverse Repetitive Voltage 50V
Pin Count 2
Rectifier Type Small Signal
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 99 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 107 КБ
Datasheet
pdf, 90 КБ