SSM6N68NU,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=4A VDSS=30V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

14631 шт., срок 7-9 недель

580 ֏

1 шт. на сумму 580 ֏

Номенклатурный номер: 8006330799

Бренд: Toshiba

Unclassified

МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=4A VDSS=30V

Id - непрерывный ток утечки	4 A
Pd - рассеивание мощности	1 W
Qg - заряд затвора	1.8 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	84 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	12 V, - 8 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	400 mV
Вид монтажа	SMD/SMT
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	2 Channel
Конфигурация	Dual
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	5.2 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SSM6N68NU
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Типичное время задержки выключения	9 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	Toshiba
Упаковка	Reel, Cut Tape
Упаковка / блок	UDFN-6
Вес, г	0.0085