BC807-40Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT 45V PNP SS Trans Vcbo -50V 350mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
269 ֏
от 10 шт. —
185 ֏
от 100 шт. —
80 ֏
от 1000 шт. —
49 ֏
1 шт.
на сумму 269 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 45V PNP SS Trans Vcbo -50V 350mW
Технические параметры
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Подкатегория | Transistors |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | BC807 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Collector Emitter Voltage Max | 45В |
| Continuous Collector Current | 500мА |
| DC Current Gain hFE Min | 170hFE |
| DC Усиление Тока hFE | 170hFE |
| Power Dissipation | 350мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | BC807 Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Частота Перехода ft | 100МГц |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet BC807-40Q-7-F
pdf, 241 КБ
