BCX54TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
![Фото 1/4 BCX54TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K](https://static.chipdip.ru/lib/745/DOC043745055.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/936/DOC017936091.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/797/DOC016797409.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
370 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
97 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Описание Транзистор биполярный NPN BCX54TA от DIODES INCORPORATED - это высококачественный компонент для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SOT89. Способный управлять током коллектора до 1 А и выдерживать напряжение коллектор-эмиттер до 45 В, этот транзистор идеален для широкого спектра электронных устройств. С мощностью в 1 Вт, он отличается надежностью и долговечностью. Продукт BCX54TA подходит для различных областей применения, включая усилители, коммутационные устройства и схемы управления питанием. Его компактный размер и SMD-конфигурация облегчают интеграцию в современные электронные схемы. Использование BCX54TA в вашем проекте обеспечит высокую производительность и надежность вашей системы. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | биполярный |
Вид | NPN |
Монтаж | SMD |
Ток коллектора, А | 1 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
Мощность, Вт | 1 |
Корпус | SOT89 |
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 45 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 500 mV |
Configuration: | Single |
DC Current Gain hFE Max: | 25 at 5 mA, 2 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 150 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 1 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | BCX54 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Maximum Collector Base Voltage | 45 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum DC Current Gain | 40 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BCX55TA
pdf, 140 КБ