BCW66HQTA, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor
![BCW66HQTA, Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor](https://static.chipdip.ru/lib/529/DOC006529613.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
от 10 шт. —
414 ֏
от 100 шт. —
242 ֏
от 1000 шт. —
122 ֏
1 шт.
на сумму 580 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Transistor
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Квалификация | AEC-Q101 |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 250 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 75 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 800 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Вес, г | 24 |
Техническая документация
Datasheet BCW66HQTA
pdf, 191 КБ