MMST2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 200mW

MMST2222A-7-F, Bipolar Transistors - BJT 40V 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
282 ֏
от 10 шт.194 ֏
от 100 шт.119 ֏
от 1000 шт.51 ֏
1 шт. на сумму 282 ֏
Номенклатурный номер: 8006352277
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT 40V 200mW

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 200 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 2.2 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.6 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 75 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.6 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 300 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия MMST22
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-323-3
Ширина 1.35 mm
Base Product Number MMST2222 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Current - Collector Cutoff (Max) 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 300MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case SC-70, SOT-323
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-323
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Вес, г 0.005

Техническая документация

Datasheet
pdf, 362 КБ
Datasheet MMST2222A-7-F
pdf, 350 КБ