2DC4617Q-7-F, Bipolar Transistors - BJT NPN BIPOLAR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

269 ֏

от 10 шт. — 190 ֏

от 100 шт. — 80 ֏

от 1000 шт. — 45 ֏

1 шт. на сумму 269 ֏

Номенклатурный номер: 8006354021

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT NPN BIPOLAR

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	0.75 mm
Длина	1.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	120
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	400 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	7 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	180 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2DC46
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-523-3
Ширина	0.8 mm
Вес, г	0.002