BCX52TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

530 ֏

от 10 шт. — 366 ֏

от 100 шт. — 154 ֏

1 шт. на сумму 530 ֏

Номенклатурный номер: 8006354279

Бренд: DIODES INC.

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Описание Транзистор: PNP, биполярный, 60В, 1А, 1Вт, SOT89 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.5 mm
Длина	4.5 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	25 at 5 mA, 2 V, 40 at 150 mA, 2 V, 25 at 500 m
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	25 at 5 mA, 2 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	60 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	BCX52
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.5 mm
Вес, г	0.052