BC807-25W-7, Bipolar Transistors - BJT PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
![Фото 1/4 BC807-25W-7, Bipolar Transistors - BJT PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530039.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC024036618.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/769/DOC016769276.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/036/DOC024036622.jpg)
357 ֏
от 10 шт. —
247 ֏
от 100 шт. —
84 ֏
от 1000 шт. —
62 ֏
1 шт.
на сумму 357 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 160 |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 45 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BC807 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Base Product Number | BC807 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA, 1V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 100MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Maximum Collector Base Voltage | -50 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | -45 V |
Maximum DC Collector Current | -500 mA |
Maximum Emitter Base Voltage | -6 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Minimum DC Current Gain | 160 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 0.005 |