RN1306,LF, Digital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
982 шт., срок 7-9 недель
229 ֏
1 шт.
на сумму 229 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.9 mm |
Длина | 2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 80 |
Конфигурация | Single |
Максимальный постоянный ток коллектора | 100 mA |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | RN1306 |
Тип | NPN Epitaxial Silicon Transistor |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 4.7 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 0.1 |
Торговая марка | Toshiba |
Упаковка / блок | SC-70 |
Ширина | 1.25 mm |
Вес, г | 0.028 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг