DDTC123ECA-7-F, Digital Transistors PRE-BIAS NPN 200mW
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
258 ֏
от 10 шт. —
174 ֏
от 100 шт. —
76 ֏
от 1000 шт. —
51 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 258 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Trans Digital BJT NPN 50 В 100 мА 200 мВт 3-контактный SOT-23 T / R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 50 |
| Maximum Continuous DC Collector Current (mA) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
| Minimum DC Current Gain | 20@20mA@5V |
| Minimum DC Current Gain Range | <30 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Type | NPN |
| Typical Current Gain Bandwidth (MHz) | 250 |
| Typical Input Resistor (kOhm) | 2.2 |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Вес, г | 0.02 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
