CSD23280F3T, MOSFET -12-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 0.7 mm, 116 mOhm, gate ESD protection 3-PICOSTAR -55 to 150
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 190 ֏
от 10 шт. —
960 ֏
от 100 шт. —
439 ֏
от 250 шт. —
424 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.9 V |
| Maximum Drain Source Voltage | -12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | PICOSTAR |
| Вес, г | 0.0003 |
