HN1C03FU-B(TE85L,F, Bipolar Transistors - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2233 шт., срок 5-8 недель

540 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 540 ֏

Номенклатурный номер: 8006373267

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Dual Trans NPN x 2 20V, 0.3A, US6

Pd - рассеивание мощности	200 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	1200
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	300 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	20 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	42 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	25 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	30 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN1C03
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	US-6
Вес, г	1