Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › HN4A51JTE85LF, Bipolar Transistors - BJT ...

HN4A51JTE85LF, Bipolar Transistors - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8727 шт., срок 5-8 недель

580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 580 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8006374469

Бренд: Toshiba

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Trans LFreq -120V PNP PNP -0.1A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	300 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	200
Конфигурация	Dual
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	700
Максимальный постоянный ток коллектора	100 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	120 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	100 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	100 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	HN4A51
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	SOT-25-5
Base Product Number	RN2103 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 2mA, 6V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	100MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	SC-74A, SOT-753
Power - Max	300mW
RoHS Status	RoHS Compliant
Supplier Device Package	SMV
Transistor Type	2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	120V
Вес, г	0.014