DSS20200L-7, Bipolar Transistors - BJT LOW VCE(SAT) PNP SMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
484 ֏
от 10 шт. —
335 ֏
от 100 шт. —
159 ֏
от 1000 шт. —
118 ֏
1 шт.
на сумму 484 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | -20 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 20 V |
| Maximum DC Collector Current | 2 A |
| Maximum Emitter Base Voltage | -7 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 600 mW |
| Minimum DC Current Gain | 250 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.008 |
