BCX5610TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
![Фото 1/5 BCX5610TA, Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K](https://static.chipdip.ru/lib/519/DOC006519977.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/797/DOC016797409.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/493/DOC047493606.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166832.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
530 ֏
от 10 шт. —
357 ֏
от 100 шт. —
150 ֏
от 1000 шт. —
114 ֏
1 шт.
на сумму 530 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT Pwr Mid Perf Transistor SOT89 T&R 1K
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.5 mm |
Длина | 4.6 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 63 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 160 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 65 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCX56 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-89-3 |
Ширина | 2.6 mm |
Maximum Collector Base Voltage | 100 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 1 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
Maximum Operating Frequency | 150 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 1 W |
Minimum DC Current Gain | 63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-89 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5@50mA@500mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-89 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Case | SOT89 |
Collector current | 1A |
Collector-emitter voltage | 80V |
Frequency | 150MHz |
Kind of package | reel, tape |
Manufacturer | DIODES INCORPORATED |
Polarisation | bipolar |
Power dissipation | 1W |
Type of transistor | NPN |
Вес, г | 0.101 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 405 КБ
Datasheet BCX55TA
pdf, 140 КБ
Datasheet BCX5610TA
pdf, 376 КБ