2SA1162-O,LF, Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

17848 шт., срок 7-9 недель

220 ֏

1 шт. на сумму 220 ֏

Номенклатурный номер: 8006375694

Бренд: Toshiba

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Биполярные транзисторы - BJT Bias Resistor Built-in transistor

Pd - рассеивание мощности	150 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Квалификация	AEC-Q101
Максимальный постоянный ток коллектора	150 mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.3 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	150 mA
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	2SA1162
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Toshiba
Упаковка / блок	TO-236MOD-3
Вес, г	0.012