BSC146N10LS5ATMA1, MOSFETs N
![Фото 1/2 BSC146N10LS5ATMA1, MOSFETs N](https://static.chipdip.ru/lib/523/DOC006523760.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/822/DOC004822029.jpg)
1 720 ֏
от 10 шт. —
1 320 ֏
от 100 шт. —
960 ֏
от 500 шт. —
770 ֏
1 шт.
на сумму 1 720 ֏
Описание
Unclassified
Mosfet, N-Ch, 100V, 44A, 150Deg C, 52W Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC146N10LS5ATMA1
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
Fall Time: | 3 ns |
Forward Transconductance - Min: | 19 S |
Id - Continuous Drain Current: | 44 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TDSON-8 |
Part # Aliases: | BSC146N10LS5 SP001385464 |
Pd - Power Dissipation: | 52 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 7.6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 15.8 mOhms |
Rise Time: | 3 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 10(A) |
Drain-Source On-Volt | 100(V) |
Gate-Source Voltage (Max) | 20(V) |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Packaging | Tape and Reel |
Polarity | N |
Power Dissipation | 2.5(W) |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0122Ом |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 44А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0122Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
Вес, г | 0.1 |