TK33S10N1L, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 33А, 125Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
821 шт., срок 7 недель
2 270 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 270 ֏
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 33А, 125Вт, DPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | DPAK |
| Drain current | 33A |
| Drain-source voltage | 100V |
| Gate charge | 33nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | TOSHIBA |
| Mounting | SMD |
| On-state resistance | 16.2Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 125W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 0.38 |
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
