DTA123YU3T106, Digital Transistors PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
![Фото 1/3 DTA123YU3T106, Digital Transistors PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323](https://static.chipdip.ru/lib/571/DOC006571332.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/173/DOC012173898.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/340/DOC024340802.jpg)
2895 шт., срок 5-8 недель
258 ֏
от 10 шт. —
178 ֏
от 100 шт. —
72 ֏
от 1000 шт. —
49 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 258 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Digital Transistors
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения PNP -50 VCEO -0.1A SOT-323
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Выходное напряжение | 100 mV |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальная рабочая частота | 250 MHz |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
Типичный коэффициент деления резистора | 4.5 |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Base Product Number | DTA123 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 250MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | UMT3 |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500ВµA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Collector Emitter Voltage Max PNP | 50В |
Continuous Collector Current | 100мА |
DC Current Gain hFE Min | 33hFE |
Power Dissipation | 200мВт |
Количество Выводов | 3 Вывода |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-323 |
Линейка Продукции | DTA123Y Series |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | -50В |
Непрерывный Коллекторный Ток Ic | -100мА |
Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный PNP |
Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
Соотношение Сопротивления, R1 / R2 | 0.22соотношение |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
Maximum DC Collector Current | 100 mA |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-323 |
Pin Count | 3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1321 КБ
Datasheet DTA123YU3T106
pdf, 1983 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг