IXFX360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
![IXFX360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A](https://static.chipdip.ru/lib/372/DOC037372797.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
16 000 ֏
от 10 шт. —
13 400 ֏
от 30 шт. —
10 800 ֏
от 60 шт. —
10 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 16 000 ֏
Описание
Unclassified
Технические параметры
Case | PLUS247™ |
Drain current | 360A |
Drain-source voltage | 100V |
Features of semiconductor devices | thrench gate power mosfet |
Gate charge | 525nC |
Kind of channel | enhanced |
Kind of package | tube |
Manufacturer | IXYS |
Mounting | THT |
On-state resistance | 2.9mΩ |
Polarisation | unipolar |
Power dissipation | 1.25kW |
Type of transistor | N-MOSFET |
Вес, г | 147 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 183 КБ