IXFX360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A

IXFX360N10T, MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
16 000 ֏
от 10 шт.13 400 ֏
от 30 шт.10 800 ֏
от 60 шт.10 500 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 16 000 ֏
Номенклатурный номер: 8006389815
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified

Технические параметры

Case PLUS247™
Drain current 360A
Drain-source voltage 100V
Features of semiconductor devices thrench gate power mosfet
Gate charge 525nC
Kind of channel enhanced
Kind of package tube
Manufacturer IXYS
Mounting THT
On-state resistance 2.9mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25kW
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 147

Техническая документация

Datasheet
pdf, 183 КБ