T2N7002BK,LM, MOSFETs Small Signal Mosfet
235715 шт., срок 6-9 недель
205 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 205 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
N-канал 60 В 400 мА (Ta) 320 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
Технические параметры
Base Product Number | TLP170 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 400mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 320mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 100mA, 10V |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Series | U-MOSVII-H -> |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250ВµA |
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 400mA |
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 320mW |
Rds On - Drain-Source Resistance | 1.5О© @ 100mA,10V |
Transistor Polarity | N Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 2.1V @ 250uA |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet T2N7002BK,LM
pdf, 977 КБ
Datasheet T2N7002BK,LM
pdf, 236 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг