BC856B-13-F, Bipolar Transistors - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
282 ֏
от 10 шт. —
194 ֏
от 100 шт. —
119 ֏
от 1000 шт. —
51 ֏
1 шт.
на сумму 282 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярные транзисторы - BJT NPN Small SIG -80V -65V VCEO -5.0 VEBO
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 350 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 220 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 475 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 65 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 650 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Серия | BC856B |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | -80 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -65 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -650 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -100 mA |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 220 |
| DC Current Gain HFE Max | 475 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 200 MHz |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | BC856B |
| Subcategory | Transistors |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | PNP |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 293 КБ
