IXFN80N50P, Discrete Semiconductor Modules 500V 80A
![Фото 1/6 IXFN80N50P, Discrete Semiconductor Modules 500V 80A](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC006307508.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC028125313.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC030210372.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/125/DOC028125317.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC030210376.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/210/DOC030210381.jpg)
40 800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 40 800 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Discrete Semiconductor Modules
Источник питания переменного/постоянного токаИсточник питания переменного/постоянного тока от компании Littelfuse часто используется в электронных устройствах. Компоненты этих блоков питания должны быть надежными и долговечными, и компания Littelfuse предлагает ряд продуктов, отвечающих этим требованиям. Этот портфель компонентов охватывает защиту от перегрузки по току и перенапряжению, силовой каскад и защиту выхода. Типичные области применения источников питания переменного/постоянного тока Littelfuse включают автомобильную, солнечную, промышленную, производственную и другие области.
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
Fall Time: | 18 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 66 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Screw Mounts |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-227-4 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 700 W |
Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
Product: | Power MOSFET Modules |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
Rise Time: | 27 ns |
Series: | HiPerFET |
Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | HiperFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 66 A |
Maximum Drain Source Resistance | 65 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 700 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Screw Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-227 |
Pin Count | 4 |
Series | HiperFET, Polar |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
Width | 25.07mm |
Вес, г | 1 |