SI2301CDS-T1-E3, MOSFETs -20V Vds 8V Vgs SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
489 ֏
от 10 шт. —
369 ֏
от 100 шт. —
196 ֏
от 1000 шт. —
126 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Посмотреть аналоги3
Описание
Unclassified
P-канал 20 В, 3,1 А (Tc), 860 мВт (Ta), 1,6 Вт (Tc), поверхностный монтаж SOT-23-3 (TO-236)
Технические параметры
| Base Product Number | SI2301 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation (Max) | 860mW (Ta), 1.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 112mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | TrenchFETВ® -> |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250ВµA |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.112 O |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 193 КБ
Datasheet SI2301CDS-T1-E3
pdf, 160 КБ
