SI2318DS-T1-E3, MOSFETs 40V 6A
![Фото 1/3 SI2318DS-T1-E3, MOSFETs 40V 6A](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514323.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/576/DOC002576221.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/255/DOC005255374.jpg)
670 ֏
от 10 шт. —
580 ֏
от 100 шт. —
365 ֏
от 500 шт. —
269 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 670 ֏
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 40V 6A
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3.9 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 45 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 12 ns |
Время спада | 15 ns |
Высота | 1.45 mm |
Длина | 2.9 mm |
Другие названия товара № | SI2318DS-T1 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 11 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | SI2 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20 ns |
Типичное время задержки при включении | 5 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.6 mm |
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 3 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 45 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOT |
Supplier Package | SOT-23 |
Typical Fall Time (ns) | 15 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 10 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 10 10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 540 20V |
Typical Rise Time (ns) | 12 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 5 |
Вес, г | 0.008 |